KSC1393YTA Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn 20dB ~ 24dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn 20dB ~ 24dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn 20dB ~ 24dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn 20dB ~ 24dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn 20dB ~ 24dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 200MHz Gewinn 20dB ~ 24dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
