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KSC1393YTA

KSC1393YTA

Nur als Referenz

Teilenummer KSC1393YTA
PNEDA Teilenummer KSC1393YTA
Beschreibung RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.560
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

KSC1393YTA Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKSC1393YTA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
KSC1393YTA, KSC1393YTA Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 41,53 KB)
PDFKSC1393YTA Datenblatt Cover
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KSC1393YTA Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Frequenz - Übergang700MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2dB ~ 3dB @ 200MHz
Gewinn20dB ~ 24dB
Leistung - max250mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce90 @ 2mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

MRF392

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual) Common Emitter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

125W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

744A-01

Lieferantengerätepaket

744A-01, Style 1

AT-32011-TR1G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

Gewinn

12.5dB ~ 14dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

BFP720FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

45GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz

Gewinn

10.5dB ~ 28dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 13mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

BFG35,115

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 100mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Kürzlich verkauft

1N5618

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0451004.MR

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Littelfuse

FUSE BRD MNT 4A 125VAC/VDC 2SMD

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RB751S40

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7447709680

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0467.750NR

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