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BFG35,115

BFG35,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFG35,115
PNEDA Teilenummer BFG35-115
Beschreibung RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223
Hersteller NXP
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Auf Lager 23.748
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BFG35 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG35,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG35, BFG35 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 283,69 KB)
PDFBFG35 Datenblatt Cover
BFG35 Datenblatt Seite 2 BFG35 Datenblatt Seite 3 BFG35 Datenblatt Seite 4 BFG35 Datenblatt Seite 5 BFG35 Datenblatt Seite 6 BFG35 Datenblatt Seite 7 BFG35 Datenblatt Seite 8 BFG35 Datenblatt Seite 9 BFG35 Datenblatt Seite 10 BFG35 Datenblatt Seite 11

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BFG35 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)18V
Frequenz - Übergang4GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 100mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketSOT-223

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Gewinn

25dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-72-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

HFA3096BZ96

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

3 NPN + 2 PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V, 15V

Frequenz - Übergang

8GHz, 5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

CP302-MPSH10-CT20

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

UPA801T-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

CA3127M

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 100MHz

Gewinn

27dB ~ 30dB

Leistung - max

85mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

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