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AT-32063-TR2G

AT-32063-TR2G

Nur als Referenz

Teilenummer AT-32063-TR2G
PNEDA Teilenummer AT-32063-TR2G
Beschreibung RF TRANS 2 NPN 5.5V SOT363
Hersteller Broadcom
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Auf Lager 8.658
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AT-32063-TR2G Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT-32063-TR2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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AT-32063-TR2G Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5.5V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz
Gewinn12.5dB ~ 14.5dB
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 5mA, 2.7V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)32mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

42GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz

Gewinn

24.5dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

PG-TSLP-3

KSC1730OBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

22GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

54mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

CMPAK-4

MSC1450A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

910W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Betriebstemperatur

250°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M216

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