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UPA801T-T1-A

UPA801T-T1-A

Nur als Referenz

Teilenummer UPA801T-T1-A
PNEDA Teilenummer UPA801T-T1-A
Beschreibung RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363
Hersteller CEL
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Auf Lager 6.102
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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UPA801T-T1-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUPA801T-T1-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
UPA801T-T1-A, UPA801T-T1-A Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 808,12 KB)
PDFUPA801T-T1-A Datenblatt Cover
UPA801T-T1-A Datenblatt Seite 2 UPA801T-T1-A Datenblatt Seite 3 UPA801T-T1-A Datenblatt Seite 4 UPA801T-T1-A Datenblatt Seite 5 UPA801T-T1-A Datenblatt Seite 6

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UPA801T-T1-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Gewinn9dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 7mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

BFG31,115

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 70mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

48V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.3dB

Leistung - max

25W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

900mA

Betriebstemperatur

250°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M222

Lieferantengerätepaket

M222

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

1.8W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

20GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12dB

Leistung - max

735mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 100mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

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