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NE68830-A

NE68830-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE68830-A
PNEDA Teilenummer NE68830-A
Beschreibung RF TRANS NPN 6V 4.5GHZ SOT323
Hersteller CEL
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Auf Lager 6.768
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NE68830-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE68830-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE68830-A, NE68830-A Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 347,59 KB)
PDFNE68833-T1-A Datenblatt Cover
NE68833-T1-A Datenblatt Seite 2 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 3 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 4 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 5 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 6 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 7 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 8 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 9 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 10 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 11

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NE68830-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 3mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

1.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

Gewinn

14dB @ 200MHz

Leistung - max

350W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92

MDS1100

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.03GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.9dB

Leistung - max

8750W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

55TU-1

Lieferantengerätepaket

55TU-1

MS1076A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

JAN2N4957

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Gewinn

25dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-72-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

CMPTH81 BK

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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