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MPS3563G

MPS3563G

Nur als Referenz

Teilenummer MPS3563G
PNEDA Teilenummer MPS3563G
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.552
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MPS3563G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMPS3563G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MPS3563G, MPS3563G Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 46,49 KB)
PDFMPS3563G Datenblatt Cover
MPS3563G Datenblatt Seite 2 MPS3563G Datenblatt Seite 3

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MPS3563G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang1.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)6.5dB @ 60MHz
Gewinn14dB @ 200MHz
Leistung - max350W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 8mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

45GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz

Gewinn

10dB ~ 29dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

NE97833-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 15mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

BFU580GX

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1.8GHz

Gewinn

10.5dB

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

75109A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

AT-42035G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

Gewinn

10dB ~ 13.5dB

Leistung - max

600mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

35 micro-X

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