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BFU580GX

BFU580GX

Nur als Referenz

Teilenummer BFU580GX
PNEDA Teilenummer BFU580GX
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.128
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 7 - Dez 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU580GX Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU580GX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU580GX, BFU580GX Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 293,65 KB)
PDFBFU580GX Datenblatt Cover
BFU580GX Datenblatt Seite 2 BFU580GX Datenblatt Seite 3 BFU580GX Datenblatt Seite 4 BFU580GX Datenblatt Seite 5 BFU580GX Datenblatt Seite 6 BFU580GX Datenblatt Seite 7 BFU580GX Datenblatt Seite 8 BFU580GX Datenblatt Seite 9 BFU580GX Datenblatt Seite 10 BFU580GX Datenblatt Seite 11

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BFU580GX Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang11GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.4dB @ 1.8GHz
Gewinn10.5dB
Leistung - max1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 30mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketSOT-223

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-

Transistortyp

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15V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

97 @ 1mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 15mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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Surface Mount

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SOT-23

Hersteller

CEL

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-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

11.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.2dB

Leistung - max

30W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

M135

Lieferantengerätepaket

M135

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

2.8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.5dB @ 800MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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Paket / Fall

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