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SS9018HBU

SS9018HBU

Nur als Referenz

Teilenummer SS9018HBU
PNEDA Teilenummer SS9018HBU
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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SS9018HBU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSS9018HBU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
SS9018HBU, SS9018HBU Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 173,35 KB)
PDFSS9018FBU Datenblatt Cover
SS9018FBU Datenblatt Seite 2 SS9018FBU Datenblatt Seite 3 SS9018FBU Datenblatt Seite 4 SS9018FBU Datenblatt Seite 5

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SS9018HBU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang1.1GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max400mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce97 @ 1mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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KSC1393RTA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

700MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

Gewinn

20dB ~ 24dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BFU520VL

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

17.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

BFU520AVL

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Gewinn

12.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

BFR380FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

Gewinn

9.5dB ~ 13.5dB

Leistung - max

380mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 40mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

PG-TSFP-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

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