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MS3456

MS3456

Nur als Referenz

Teilenummer MS3456
PNEDA Teilenummer MS3456
Beschreibung RF POWER TRANSISTOR
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.618
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MS3456 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMS3456
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MS3456 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Transistortyp-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

0912-7

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

50W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55CX

Lieferantengerätepaket

55CX

MDS1100

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.03GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.9dB

Leistung - max

8750W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

55TU-1

Lieferantengerätepaket

55TU-1

BFP620H7764XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.8V

Frequenz - Übergang

65GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

185mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 50mA, 1.5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

1214-370M

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

1.2GHz ~ 1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.7dB ~ 9dB

Leistung - max

600W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55ST

Lieferantengerätepaket

55ST

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

180mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

Kürzlich verkauft

LTC1773EMS#TRPBF

LTC1773EMS#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 10MSOP

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Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 1.2A 16LFCSP

IRGP4750D-EPBF

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Infineon Technologies

IGBT 650V 70A 273W TO247AD

VN10LP

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Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3

BT137S-600D,118

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WeEn Semiconductors

TRIAC SENS GATE 600V 8A DPAK

0466005.NRHF

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FUSE BOARD MNT 5A 32VAC/VDC 1206

MT29F128G08CFABAWP:B

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP

BYV26C-TAP

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57

AD9528BCPZ

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Analog Devices

IC CLOCK GEN 1.25GHZ VCO 72LFCSP

VS-30BQ015PBF

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 15V 3A SMC

ESD5B5.0ST1G

ESD5B5.0ST1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V SOD523

W25Q16JVZPIQ TR

W25Q16JVZPIQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8WSON