MDS1100
Nur als Referenz
| Teilenummer | MDS1100 |
| PNEDA Teilenummer | MDS1100 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.622 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 3 - Dez 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
MDS1100 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | MDS1100 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- MDS1100 Datasheet
- where to find MDS1100
- Microsemi
- Microsemi MDS1100
- MDS1100 PDF Datasheet
- MDS1100 Stock
- MDS1100 Pinout
- Datasheet MDS1100
- MDS1100 Supplier
- Microsemi Distributor
- MDS1100 Price
- MDS1100 Distributor
MDS1100 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 65V |
| Frequenz - Übergang | 1.03GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 8.9dB |
| Leistung - max | 8750W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 55TU-1 |
| Lieferantengerätepaket | 55TU-1 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.7V Frequenz - Übergang 42GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz Gewinn 24dB Leistung - max 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 25mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket PG-TSLP-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Frequenz - Übergang 2.3GHz ~ 2.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7dB Leistung - max 58W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 160mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Betriebstemperatur 200°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55AW Lieferantengerätepaket 55AW |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 6.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz Gewinn 9dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 22V Frequenz - Übergang 3.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6dB ~ 6.3dB Leistung - max 9W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 420mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.2A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55BT Lieferantengerätepaket 55BT |
