MS2211
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| Teilenummer | MS2211 |
| PNEDA Teilenummer | MS2211 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 48V 1.215GHZ M222 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.632 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MS2211 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS2211 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS2211 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 48V |
| Frequenz - Übergang | 960MHz ~ 1.215GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 9.3dB |
| Leistung - max | 25W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 250mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 900mA |
| Betriebstemperatur | 250°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | M222 |
| Lieferantengerätepaket | M222 |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Skyworks Solutions Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4V Frequenz - Übergang 16GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 5.2dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
