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KSC1730OBU

KSC1730OBU

Nur als Referenz

Teilenummer KSC1730OBU
PNEDA Teilenummer KSC1730OBU
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.892
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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KSC1730OBU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKSC1730OBU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
KSC1730OBU, KSC1730OBU Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 41,37 KB)
PDFKSC1730YBU Datenblatt Cover
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KSC1730OBU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang1.1GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max250mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

Gewinn

11.6dB

Leistung - max

6.4W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

FMMT5179TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 200MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

1517-110M

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

70V

Frequenz - Übergang

1.48GHz ~ 1.65GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.3dB ~ 8.6dB

Leistung - max

350W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW-1

Lieferantengerätepaket

55AW-1

KSC2786RBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

18dB ~ 22dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Lieferantengerätepaket

TO-92S

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

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