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MMBTH34

MMBTH34

Nur als Referenz

Teilenummer MMBTH34
PNEDA Teilenummer MMBTH34
Beschreibung RF TRANS NPN 40V 500MHZ SOT23-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.604
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MMBTH34 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBTH34
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MMBTH34, MMBTH34 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 75,3 KB)
PDFMMBTH34 Datenblatt Cover
MMBTH34 Datenblatt Seite 2 MMBTH34 Datenblatt Seite 3

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MMBTH34 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)40V
Frequenz - Übergang500MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max225mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 20mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3 (TO-236)

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MPSH81_D27Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2003

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

12W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55BT-1

Lieferantengerätepaket

55BT-1

2SC5551AE-TD-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

3.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

1.3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PCP

BFP405E6433HTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Gewinn

23dB

Leistung - max

75mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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