2SC5012-A
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| Teilenummer | 2SC5012-A |
| PNEDA Teilenummer | 2SC5012-A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343 |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.878 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SC5012-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SC5012-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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2SC5012-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 9GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Gewinn | 15dB |
| Leistung - max | 150mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 65mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-82A, SOT-343 |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 70V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10.8dB Leistung - max 90W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 2.5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 332A-03 Lieferantengerätepaket 332A-03, Style 1 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 890MHz ~ 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB ~ 8.5dB Leistung - max 180W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55AW Lieferantengerätepaket 55AW |
