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KSC1393OBU

KSC1393OBU

Nur als Referenz

Teilenummer KSC1393OBU
PNEDA Teilenummer KSC1393OBU
Beschreibung RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.938
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 3 - Feb 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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KSC1393OBU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKSC1393OBU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
KSC1393OBU, KSC1393OBU Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 41,53 KB)
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KSC1393OBU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Frequenz - Übergang700MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2dB ~ 3dB @ 200MHz
Gewinn20dB ~ 24dB
Leistung - max250mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 2mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.3V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Gewinn

14dB

Leistung - max

190mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.8V

Frequenz - Übergang

22GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz

Gewinn

12.5dB ~ 26.5dB

Leistung - max

230mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

17GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz

Gewinn

20dB ~ 22dB

Leistung - max

16mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 3mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.6mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

CMPAK-4

MS2204

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10.8dB

Leistung - max

600mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M115

Lieferantengerätepaket

M115

MPS5179G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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