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BFG403W,115

BFG403W,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFG403W,115
PNEDA Teilenummer BFG403W-115
Beschreibung RF TRANS NPN 4.5V 17GHZ CMPAK-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.838
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG403W Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG403W,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG403W, BFG403W Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 369,2 KB)
PDFBFG403W Datenblatt Cover
BFG403W Datenblatt Seite 2 BFG403W Datenblatt Seite 3 BFG403W Datenblatt Seite 4 BFG403W Datenblatt Seite 5 BFG403W Datenblatt Seite 6 BFG403W Datenblatt Seite 7 BFG403W Datenblatt Seite 8 BFG403W Datenblatt Seite 9 BFG403W Datenblatt Seite 10 BFG403W Datenblatt Seite 11

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BFG403W Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4.5V
Frequenz - Übergang17GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz
Gewinn20dB ~ 22dB
Leistung - max16mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 3mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3.6mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketCMPAK-4

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.3V

Frequenz - Übergang

7.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.45dB @ 1GHz

Gewinn

10.5dB

Leistung - max

1.6W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PW-MINI

SD1019

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

136MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

4.5dB

Leistung - max

117W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

M130

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

24GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Gewinn

15.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

22GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

54mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

CMPAK-4

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz

Gewinn

5.3dB ~ 12.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

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