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MCH3007-TL-H

MCH3007-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer MCH3007-TL-H
PNEDA Teilenummer MCH3007-TL-H
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.220
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MCH3007-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCH3007-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MCH3007-TL-H, MCH3007-TL-H Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 397,27 KB)
PDFMCH3007-TL-H Datenblatt Cover
MCH3007-TL-H Datenblatt Seite 2 MCH3007-TL-H Datenblatt Seite 3 MCH3007-TL-H Datenblatt Seite 4 MCH3007-TL-H Datenblatt Seite 5 MCH3007-TL-H Datenblatt Seite 6 MCH3007-TL-H Datenblatt Seite 7 MCH3007-TL-H Datenblatt Seite 8 MCH3007-TL-H Datenblatt Seite 9 MCH3007-TL-H Datenblatt Seite 10 MCH3007-TL-H Datenblatt Seite 11

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MCH3007-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Gewinn12dB
Leistung - max350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket3-MCPH

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

12.5dB

Leistung - max

380mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 40mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

8V

Frequenz - Übergang

16GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

17.5dB

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MS3456

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BFG67,235

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

380mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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