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BFG505/X,215

BFG505/X,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFG505/X,215
PNEDA Teilenummer BFG505-X-215
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.742
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BFG505/X Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG505/X,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG505/X, BFG505/X Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 306,66 KB)
PDFBFG505 Datenblatt Cover
BFG505 Datenblatt Seite 2 BFG505 Datenblatt Seite 3 BFG505 Datenblatt Seite 4 BFG505 Datenblatt Seite 5 BFG505 Datenblatt Seite 6 BFG505 Datenblatt Seite 7 BFG505 Datenblatt Seite 8 BFG505 Datenblatt Seite 9 BFG505 Datenblatt Seite 10 BFG505 Datenblatt Seite 11

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BFG505/X Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)18mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143B

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

Gewinn

13dB ~ 15.5dB

Leistung - max

1.25W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.23dB ~ 9.09dB

Leistung - max

65W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.7A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

Gewinn

8dB ~ 17dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-86

Lieferantengerätepaket

86 Plastic

90025HS

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

3.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

80W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1.5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-422A

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