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PBR941,215

PBR941,215

Nur als Referenz

Teilenummer PBR941,215
PNEDA Teilenummer PBR941-215
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB
Hersteller NXP
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Auf Lager 117.636
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PBR941 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPBR941,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
PBR941, PBR941 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 115,43 KB)
PDFPBR941 Datenblatt Cover
PBR941 Datenblatt Seite 2 PBR941 Datenblatt Seite 3 PBR941 Datenblatt Seite 4 PBR941 Datenblatt Seite 5 PBR941 Datenblatt Seite 6 PBR941 Datenblatt Seite 7 PBR941 Datenblatt Seite 8 PBR941 Datenblatt Seite 9 PBR941 Datenblatt Seite 10 PBR941 Datenblatt Seite 11

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PBR941 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gewinn-
Leistung - max360mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 5mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

470MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12.5dB

Leistung - max

3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

NE68133-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

2SC3356-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

11.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 40mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

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