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BFR540,215

BFR540,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFR540,215
PNEDA Teilenummer BFR540-215
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.644
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFR540 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFR540,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFR540, BFR540 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 147,38 KB)
PDFBFR540 Datenblatt Cover
BFR540 Datenblatt Seite 2 BFR540 Datenblatt Seite 3 BFR540 Datenblatt Seite 4 BFR540 Datenblatt Seite 5 BFR540 Datenblatt Seite 6 BFR540 Datenblatt Seite 7 BFR540 Datenblatt Seite 8 BFR540 Datenblatt Seite 9 BFR540 Datenblatt Seite 10 BFR540 Datenblatt Seite 11

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BFR540 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
Gewinn-
Leistung - max500mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 40mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

Gewinn

7dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

0105-50

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

100MHz ~ 500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB ~ 10dB

Leistung - max

140W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55JT

Lieferantengerätepaket

55JT

KSC3123OMTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz

Gewinn

20dB ~ 23dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

15GN01CA-TB-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

8V

Frequenz - Übergang

1.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

3-CP

70061A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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