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BFP420H6801XTSA1

BFP420H6801XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFP420H6801XTSA1
PNEDA Teilenummer BFP420H6801XTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.984
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFP420H6801XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFP420H6801XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFP420H6801XTSA1, BFP420H6801XTSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 175,2 KB)
PDFBFP420E6433HTMA1 Datenblatt Cover
BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 2 BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 3 BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 4 BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 5 BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 6 BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 7 BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 8 BFP420E6433HTMA1 Datenblatt Seite 9

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BFP420H6801XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5V
Frequenz - Übergang25GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1.8GHz
Gewinn21dB
Leistung - max160mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 20mA, 4V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketSOT-343

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

26GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB @ 2GHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

120mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-UFDFN

Lieferantengerätepaket

4-ECSP1008

Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

16.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

11V

Frequenz - Übergang

3.2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

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