EC3H02BA-TL-H Datenblatt
EC3H02BA-TL-H Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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EC3H02BA-TL-H
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB @ 1GHz Gewinn 8.5dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 20mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XFDFN Lieferantengerätepaket 3-ECSP1006 |