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2SC5606-T1-A

2SC5606-T1-A

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC5606-T1-A
PNEDA Teilenummer 2SC5606-T1-A
Beschreibung RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
Hersteller CEL
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Auf Lager 5.418
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2SC5606-T1-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC5606-T1-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SC5606-T1-A, 2SC5606-T1-A Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 1.132,15 KB)
PDF2SC5606-A Datenblatt Cover
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2SC5606-T1-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3.3V
Frequenz - Übergang21GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 2GHz
Gewinn14dB
Leistung - max115mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-523
LieferantengerätepaketSOT-523

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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Transistortyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

250MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.8dB ~ 4dB @ 5MHz

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

Mini3-G1

MDS70

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.03GHz ~ 1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10.3dB ~ 11.65dB

Leistung - max

225W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55CX

Lieferantengerätepaket

55CX

66082B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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