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BFG480W,115

BFG480W,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFG480W,115
PNEDA Teilenummer BFG480W-115
Beschreibung RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.382
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG480W Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG480W,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG480W, BFG480W Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 362,42 KB)
PDFBFG480W Datenblatt Cover
BFG480W Datenblatt Seite 2 BFG480W Datenblatt Seite 3 BFG480W Datenblatt Seite 4 BFG480W Datenblatt Seite 5 BFG480W Datenblatt Seite 6 BFG480W Datenblatt Seite 7 BFG480W Datenblatt Seite 8 BFG480W Datenblatt Seite 9 BFG480W Datenblatt Seite 10 BFG480W Datenblatt Seite 11

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BFG480W Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4.5V
Frequenz - Übergang21GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz
Gewinn16dB
Leistung - max360mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 80mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)250mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketCMPAK-4

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

180mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

11dB ~ 13dB

Leistung - max

3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

-

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Surface Mount

Paket / Fall

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Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4V

Frequenz - Übergang

26.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.55dB @ 2GHz

Gewinn

16.9dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

USQ

MRF555

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

11dB ~ 13dB

Leistung - max

3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Power Macro

Lieferantengerätepaket

Power Macro

AT-42000-GP4

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

Gewinn

10.5dB ~ 14dB

Leistung - max

600mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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