MS1336
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| Teilenummer | MS1336 |
| PNEDA Teilenummer | MS1336 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 18V 175MHZ M135 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.600 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MS1336 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS1336 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS1336 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 18V |
| Frequenz - Übergang | 175MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 10dB |
| Leistung - max | 70W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 250mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | M135 |
| Lieferantengerätepaket | M135 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 16V Frequenz - Übergang 470MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 12.5dB Leistung - max 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang 37GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 10.5dB ~ 21.5dB Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 80mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz Gewinn 9dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.7V Frequenz - Übergang 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn 10.5dB ~ 28.5dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 13mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket SOT-343 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
