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BFG540/X,215

BFG540/X,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFG540/X,215
PNEDA Teilenummer BFG540-X-215
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.544
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BFG540/X Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG540/X,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG540/X, BFG540/X Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 312,4 KB)
PDFBFG540/XR Datenblatt Cover
BFG540/XR Datenblatt Seite 2 BFG540/XR Datenblatt Seite 3 BFG540/XR Datenblatt Seite 4 BFG540/XR Datenblatt Seite 5 BFG540/XR Datenblatt Seite 6 BFG540/XR Datenblatt Seite 7 BFG540/XR Datenblatt Seite 8 BFG540/XR Datenblatt Seite 9 BFG540/XR Datenblatt Seite 10 BFG540/XR Datenblatt Seite 11

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BFG540/X Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
Gewinn-
Leistung - max400mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 40mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143B

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

24GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

17dB

Leistung - max

50mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

1GHz ~ 1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.8dB

Leistung - max

39W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55LT

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55LT

Hersteller

CEL

Serie

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Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 15mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6.5V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz

Gewinn

15dB ~ 22dB

Leistung - max

188mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

1.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

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-

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