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JAN2N2857

JAN2N2857

Nur als Referenz

Teilenummer JAN2N2857
PNEDA Teilenummer JAN2N2857
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.420
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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JAN2N2857 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJAN2N2857
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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JAN2N2857 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/343
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang500MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)4.5dB @ 450MHz
Gewinn12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 3mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40mA
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-72-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-72

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Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

15dB

Leistung - max

150W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

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Gewinn

11dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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ON Semiconductor

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

46GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz

Gewinn

8B ~ 30.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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