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NE461M02-T1-QR-AZ

NE461M02-T1-QR-AZ

Nur als Referenz

Teilenummer NE461M02-T1-QR-AZ
PNEDA Teilenummer NE461M02-T1-QR-AZ
Beschreibung RF TRANS NPN 15V
Hersteller CEL
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE461M02-T1-QR-AZ Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE461M02-T1-QR-AZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE461M02-T1-QR-AZ, NE461M02-T1-QR-AZ Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 1.723,82 KB)
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NE461M02-T1-QR-AZ Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Gewinn8.3dB
Leistung - max2W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 50mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)250mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

SD1224-02

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.6dB

Leistung - max

60W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M113

Lieferantengerätepaket

M113

BFR340L3E6327XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.15dB @ 1.8GHz

Gewinn

17.5dB

Leistung - max

60mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

PG-TSLP-3-1

AT-30533-TR1G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

Gewinn

11dB ~ 13dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

17GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

11dB ~ 19dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

130 @ 15mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

M05

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