BFR340L3E6327XTMA1
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| Teilenummer | BFR340L3E6327XTMA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFR340L3E6327XTMA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.020 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 30 - Mai 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFR340L3E6327XTMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR340L3E6327XTMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFR340L3E6327XTMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 9V |
| Frequenz - Übergang | 14GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.15dB @ 1.8GHz |
| Gewinn | 17.5dB |
| Leistung - max | 60mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 90 @ 5mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSLP-3-1 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.8V Frequenz - Übergang 22GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn 16dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 20mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket PG-TSLP-3-1 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.03GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10.2dBd Leistung - max 2095W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55TU-1 Lieferantengerätepaket 55TU-1 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343 Reverse Pinning Lieferantengerätepaket 4-SO |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 6.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB @ 1GHz Gewinn 12dB Leistung - max 1.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |
