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NE687M33-A

NE687M33-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE687M33-A
PNEDA Teilenummer NE687M33-A
Beschreibung RF TRANS NPN 3V 12GHZ 3SMINMOLD
Hersteller CEL
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Auf Lager 3.544
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE687M33-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE687M33-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE687M33-A, NE687M33-A Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 344,33 KB)
PDFNE687M33-T3-A Datenblatt Cover
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NE687M33-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3V
Frequenz - Übergang12GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2dB @ 2GHz
Gewinn-
Leistung - max90mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket3-SuperMiniMold (M33)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

265mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

SOT-723

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.25dB @ 1kHz

Gewinn

-

Leistung - max

750mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

2307

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

42V

Frequenz - Übergang

2.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

20.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55BT

Lieferantengerätepaket

55BT

MSC1400M

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.5dB

Leistung - max

1000W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Betriebstemperatur

250°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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