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MMBTH10M3T5G

MMBTH10M3T5G

Nur als Referenz

Teilenummer MMBTH10M3T5G
PNEDA Teilenummer MMBTH10M3T5G
Beschreibung RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.074
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MMBTH10M3T5G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBTH10M3T5G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MMBTH10M3T5G, MMBTH10M3T5G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 119,8 KB)
PDFMMBTH10M3T5G Datenblatt Cover
MMBTH10M3T5G Datenblatt Seite 2 MMBTH10M3T5G Datenblatt Seite 3 MMBTH10M3T5G Datenblatt Seite 4 MMBTH10M3T5G Datenblatt Seite 5

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MMBTH10M3T5G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)25V
Frequenz - Übergang650MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max265mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-723
LieferantengerätepaketSOT-723

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

700MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

Gewinn

20dB ~ 24dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

66099

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

30GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

SD8002-01H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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