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START499D

START499D

Nur als Referenz

Teilenummer START499D
PNEDA Teilenummer START499D
Beschreibung RF TRANS NPN 4.5V SOT89
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 5.904
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

START499D Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTART499D
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
START499D, START499D Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 239,55 KB)
PDFSTART499D Datenblatt Cover
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START499D Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4.5V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn13dB ~ 14dB
Leistung - max1.7W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce150 @ 160mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89

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Serie

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

20W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

M113

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

125 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23

60099H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 450MHz

Gewinn

6.5dB ~ 10.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

2SC5066-O,LF

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

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