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BF959G

BF959G

Nur als Referenz

Teilenummer BF959G
PNEDA Teilenummer BF959G
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.896
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BF959G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF959G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BF959G, BF959G Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 53,13 KB)
PDFBF959ZL1G Datenblatt Cover
BF959ZL1G Datenblatt Seite 2 BF959ZL1G Datenblatt Seite 3 BF959ZL1G Datenblatt Seite 4

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BF959G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang700MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3dB @ 200MHz
Gewinn-
Leistung - max625mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55BT

Lieferantengerätepaket

55BT

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.25V

Frequenz - Übergang

80GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.85dB @ 5.5GHz

Gewinn

18.5dB

Leistung - max

75mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 1.8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

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