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BFG505/X,235

BFG505/X,235

Nur als Referenz

Teilenummer BFG505/X,235
PNEDA Teilenummer BFG505-X-235
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.712
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BFG505/X Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG505/X,235
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG505/X, BFG505/X Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 306,66 KB)
PDFBFG505 Datenblatt Cover
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BFG505/X Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)18mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143B

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

1.2GHz ~ 1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.8dB ~ 8.9dB

Leistung - max

125W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW-1

Lieferantengerätepaket

55AW-1

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ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

700MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

Gewinn

20dB ~ 24dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

1.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

180mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

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