1214-32L
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| Teilenummer | 1214-32L |
| PNEDA Teilenummer | 1214-32L |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.028 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1214-32L Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1214-32L |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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1214-32L Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Frequenz - Übergang | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 7.8dB ~ 8.9dB |
| Leistung - max | 125W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 5A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55AW-1 |
| Lieferantengerätepaket | 55AW-1 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
