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BLS3135-20,114

BLS3135-20,114

Nur als Referenz

Teilenummer BLS3135-20,114
PNEDA Teilenummer BLS3135-20-114
Beschreibung RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.400
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BLS3135-20 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLS3135-20,114
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BLS3135-20, BLS3135-20 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 72,31 KB)
PDFBLS3135-20 Datenblatt Cover
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BLS3135-20 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)75V
Frequenz - Übergang3.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn8dB
Leistung - max80W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 1.5A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)2A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-422A
LieferantengerätepaketCDFM2

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.5dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 80mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89-3

C1-28Z

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

150MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SC-59

BFR 181 E6780

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

18.5dB

Leistung - max

175mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

KSC2757OMTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

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