BF776E6327FTSA1 Datenblatt
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.7V Frequenz - Übergang 46GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 24dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.7V Frequenz - Übergang 46GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 24dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |