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BF959

BF959

Nur als Referenz

Teilenummer BF959
PNEDA Teilenummer BF959
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.650
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BF959 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF959
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BF959, BF959 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 53,13 KB)
PDFBF959ZL1G Datenblatt Cover
BF959ZL1G Datenblatt Seite 2 BF959ZL1G Datenblatt Seite 3 BF959ZL1G Datenblatt Seite 4

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BF959 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang700MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3dB @ 200MHz
Gewinn-
Leistung - max625mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

Gewinn

9dB ~ 15.5dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3

PH3135-65M

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.23dB ~ 9.09dB

Leistung - max

65W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.7A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

60180

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

2324-20

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

2.3GHz ~ 2.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

58W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 160mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW

Lieferantengerätepaket

55AW

UTV010

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

24V

Frequenz - Übergang

470MHz ~ 860MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

11.5dB

Leistung - max

15W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.25A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

55FT

Lieferantengerätepaket

55FT

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