2SC3585-T1B-A
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SC3585-T1B-A |
| PNEDA Teilenummer | 2SC3585-T1B-A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23 |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.190 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2SC3585-T1B-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SC3585-T1B-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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2SC3585-T1B-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 10GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 2GHz |
| Gewinn | 9dB |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 6V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB @ 500MHz Gewinn - Leistung - max 273mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 14mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn - Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn 7dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 55GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 12GHz Gewinn 13dB Leistung - max 136mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-DFP |
