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BFG10,215

BFG10,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFG10,215
PNEDA Teilenummer BFG10-215
Beschreibung RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.434
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG10 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG10,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG10, BFG10 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 257,77 KB)
PDFBFG10/X Datenblatt Cover
BFG10/X Datenblatt Seite 2 BFG10/X Datenblatt Seite 3 BFG10/X Datenblatt Seite 4 BFG10/X Datenblatt Seite 5 BFG10/X Datenblatt Seite 6 BFG10/X Datenblatt Seite 7 BFG10/X Datenblatt Seite 8 BFG10/X Datenblatt Seite 9 BFG10/X Datenblatt Seite 10 BFG10/X Datenblatt Seite 11

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BFG10 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)8V
Frequenz - Übergang1.9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn7dB
Leistung - max400mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)250mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143B

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.2db ~ 7dB

Leistung - max

575W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW

Lieferantengerätepaket

55AW

MCH4013-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

22.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

16dB

Leistung - max

50mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-MCPH

MRF8372R2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

870MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB ~ 9.5dB

Leistung - max

2.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 2dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 500µA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.5mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343 Reverse Pinning

Lieferantengerätepaket

4-SO

MS2225H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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