BFG10/X Datenblatt
BFG10/X Datenblatt
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NXP
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern:
BFG10/X,215, BFG10,215
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 8V Frequenz - Übergang 1.9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7dB Leistung - max 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 8V Frequenz - Übergang 1.9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7dB Leistung - max 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
