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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BFP182RE7764HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143R-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 22dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-143R Lieferantengerätepaket: PG-SOT143R-4	Auf Lager7.128
BFP182WE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 22dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager4.680
BFP182WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 22dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager6.246
BFP183E7764HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 22dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT143-4	Auf Lager51.438
BFP183WE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 22dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager7.956
BFP183WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 22dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager73.674
BFP193E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 12dB ~ 18dB Leistung - max: 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT143-4	Auf Lager51.630
BFP193WE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 13.5dB ~ 20.5dB Leistung - max: 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager7.866
BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 13.5dB ~ 20.5dB Leistung - max: 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager4.338
BFP196E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 10.5dB ~ 16.5dB Leistung - max: 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT143-4	Auf Lager83.016
BFP 196R E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 10.5dB ~ 16.5dB Leistung - max: 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT143-4	Auf Lager5.850
BFP 196R E6501 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 10.5dB ~ 16.5dB Leistung - max: 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT143-4	Auf Lager3.042
BFP196WE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 12.5dB ~ 19dB Leistung - max: 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager2.862
BFP196WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 12.5dB ~ 19dB Leistung - max: 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager56.430
BFP196WNH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB @ 900MHz Gewinn: 9.7dB Leistung - max: 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager24.480
BFP405E6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn: 23dB Leistung - max: 75mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager5.058
BFP405E6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn: 23dB Leistung - max: 75mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager8.262
BFP405E6740HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn: 23dB Leistung - max: 75mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager4.878
BFP 405F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn: 22.5dB Leistung - max: 55mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager6.480
BFP405FH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF TRANS RF NPN 4.5V 25MA TSFP-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: * Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager2.466
BFP405H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn: 23dB Leistung - max: 75mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager54.180
BFP 405 H6433 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn: 23dB Leistung - max: 75mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager3.528
BFP405H6740XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn: 23dB Leistung - max: 75mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager4.536
BFP410H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz Gewinn: 21.5dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 13mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager3.636
BFP420E6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager7.668
BFP420E6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager4.698
BFP 420F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 19.5dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager7.470
BFP420FH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5.5V 25GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 19.5dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager85.320
BFP420H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager691.512
BFP420H6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager6.570

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