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BFP420E6327BTSA1

BFP420E6327BTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFP420E6327BTSA1
PNEDA Teilenummer BFP420E6327BTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.668
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFP420E6327BTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFP420E6327BTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFP420E6327BTSA1, BFP420E6327BTSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 175,2 KB)
PDFBFP420E6433HTMA1 Datenblatt Cover
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BFP420E6327BTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5V
Frequenz - Übergang25GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1.8GHz
Gewinn21dB
Leistung - max160mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 20mA, 4V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketPG-SOT343-4

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CEL

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-

Transistortyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

33V

Frequenz - Übergang

225MHz ~ 400MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.9db ~ 10dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55HV

Lieferantengerätepaket

55HV

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

31V

Frequenz - Übergang

200MHz ~ 500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB ~ 9.5dB

Leistung - max

220W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55HV

Lieferantengerätepaket

55HV

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

20GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12dB

Leistung - max

735mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 100mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

SOT-343F

KSC2786YBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

18dB ~ 22dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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