2SC5490A-TL-H
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| Teilenummer | 2SC5490A-TL-H |
| PNEDA Teilenummer | 2SC5490A-TL-H |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 10V 8GHZ 3SSFP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.274 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2SC5490A-TL-H Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SC5490A-TL-H |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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2SC5490A-TL-H Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz |
| Gewinn | 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz |
| Leistung - max | 100mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 90 @ 10mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-81 |
| Lieferantengerätepaket | 3-SSFP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6dB @ 60MHz Gewinn 11dB Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6dB @ 60MHz Gewinn 15dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Frequenz - Übergang 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6.5dB Leistung - max 1450W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55KT Lieferantengerätepaket 55KT |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn 21dB Leistung - max 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket SOT-343 |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
