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MS2422

MS2422

Nur als Referenz

Teilenummer MS2422
PNEDA Teilenummer MS2422
Beschreibung RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M138
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.250
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MS2422 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMS2422
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MS2422 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Frequenz - Übergang960MHz ~ 1.215GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn6.3dB
Leistung - max875W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 1A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)22A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallM138
LieferantengerätepaketM138

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-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

30W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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332A-03, Style 2

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ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

38 @ 7mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Serie

*

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.6V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

25.5dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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