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MS2422

MS2422

Nur als Referenz

Teilenummer MS2422
PNEDA Teilenummer MS2422
Beschreibung RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M138
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.250
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 27 - Jan 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MS2422 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMS2422
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MS2422 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Frequenz - Übergang960MHz ~ 1.215GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn6.3dB
Leistung - max875W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 1A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)22A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallM138
LieferantengerätepaketM138

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

Gewinn

7dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

BFR843EL3E6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.6V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

25.5dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-XFDFN

Lieferantengerätepaket

TSLP-3-10

MS2608

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MRF10031

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

30W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

332A-03

Lieferantengerätepaket

332A-03, Style 2

MMBTH10LT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

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