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BFP420H6327XTSA1

BFP420H6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFP420H6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BFP420H6327XTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343
Hersteller Infineon Technologies
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BFP420H6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFP420H6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFP420H6327XTSA1, BFP420H6327XTSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 175,2 KB)
PDFBFP420E6433HTMA1 Datenblatt Cover
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BFP420H6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5V
Frequenz - Übergang25GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1.8GHz
Gewinn21dB
Leistung - max160mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 20mA, 4V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketSOT-343

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1.9dB @ 2GHz

Gewinn

9.6dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-523

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Hersteller

CEL

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

16dB

Leistung - max

205mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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SOT-343F

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-

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12dB

Leistung - max

80W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

211-11, Style 2

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211-11, Style 2

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Transistortyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.7dB @ 900MHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB

Leistung - max

233W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

18 @ 1.4A, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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