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BFR 360F E6327

BFR 360F E6327

Nur als Referenz

Teilenummer BFR 360F E6327
PNEDA Teilenummer BFR-360F-E6327
Beschreibung RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.508
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BFR 360F E6327 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFR 360F E6327
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFR 360F E6327, BFR 360F E6327 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 547,98 KB)
PDFBFR 360F E6765 Datenblatt Cover
BFR 360F E6765 Datenblatt Seite 2 BFR 360F E6765 Datenblatt Seite 3 BFR 360F E6765 Datenblatt Seite 4 BFR 360F E6765 Datenblatt Seite 5 BFR 360F E6765 Datenblatt Seite 6 BFR 360F E6765 Datenblatt Seite 7 BFR 360F E6765 Datenblatt Seite 8 BFR 360F E6765 Datenblatt Seite 9 BFR 360F E6765 Datenblatt Seite 10 BFR 360F E6765 Datenblatt Seite 11

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BFR 360F E6327 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)9V
Frequenz - Übergang14GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1dB @ 1.8GHz
Gewinn15.5dB
Leistung - max210mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce90 @ 15mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-723
LieferantengerätepaketTSFP-3-1

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Transistortyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

21GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

Gewinn

12dB ~ 21dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-DFP

BFR106E6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz

Gewinn

8.5dB ~ 13dB

Leistung - max

700mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 70mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

210mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz

Gewinn

10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

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