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PH3135-65M

PH3135-65M

Nur als Referenz

Teilenummer PH3135-65M
PNEDA Teilenummer PH3135-65M
Beschreibung RF TRANS NPN 65V
Hersteller M/A-Com Technology Solutions
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Auf Lager 8.046
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PH3135-65M Ressourcen

Marke M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPH3135-65M
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
PH3135-65M, PH3135-65M Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 99,67 KB)
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PH3135-65M Technische Daten

HerstellerM/A-Com Technology Solutions
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn8.23dB ~ 9.09dB
Leistung - max65W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)7.7A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.6dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

14.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

MRF8372GR1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

870MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB ~ 9.5dB

Leistung - max

2.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

HFA3128R

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-VFQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

16-QFN (3x3)

NSVF4009SG4T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Gewinn

17dB

Leistung - max

120mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

SC-82FL/MCPH4

Kürzlich verkauft

MC33990D

MC33990D

NXP

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

LTC4303IMS8#TRPBF

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MAX8902BATA+T

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MBR0530T1G

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LPC1788FBD208,551

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MAX17043G+T

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MCP73833-FCI/UN

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Microchip Technology

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NLC453232T-150K-PF

NLC453232T-150K-PF

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AD9765ASTZ

AD9765ASTZ

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