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BFP640FH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 40GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 23dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager4.122
BFP640H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 40GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 12.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager374.970
BFP 640 H6433 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 40GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager6.462
BFP650 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 37GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 10.5dB ~ 21.5dB Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager2.394
BFP650E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 37GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 10.5dB ~ 21.5dB Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager6.966
BFP 650F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 42GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 11dB ~ 21.5dB Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager2.484
BFP650FH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 42GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 11dB ~ 21.5dB Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager131.514
BFP650H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 37GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 10.5dB ~ 21.5dB Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 80mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager245.856
BFP720ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 43GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 43GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn: 11dB ~ 30.5dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager7.056
BFP 720F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn: 10.5dB ~ 28dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager4.374
BFP 720FESD E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn: 10dB ~ 29dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager6.444
BFP720FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn: 10dB ~ 29dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager2.412
BFP720FH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn: 10.5dB ~ 28dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager4.518
BFP720H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn: 10.5dB ~ 28.5dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager2.286
BFP740E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 42GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 27dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager5.274
BFP740ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn: 8.5dB ~30.5dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager4.986
BFP 740F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 42GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 27.5dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager5.184
BFP 740FESD E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 47GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn: 9dB ~ 31dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager2.538
BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 47GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn: 9dB ~ 31dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager48.828
BFP740FH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 42GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 27.5dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager26.076
BFP740H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 42GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 27dB Leistung - max: 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager6.462
BFP760H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4V Frequenz - Übergang: 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz Gewinn: 16.5dB ~ 29dB Leistung - max: 240mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 35mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager22.038
BFP780H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6.1V Frequenz - Übergang: 900MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz Gewinn: 27dB Leistung - max: 600mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 90mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT343-4-2	Auf Lager3.042
BFP840ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.25V Frequenz - Übergang: 80GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz Gewinn: 18.5dB Leistung - max: 75mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager3.852
BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.6V Frequenz - Übergang: 85GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz Gewinn: 35dB Leistung - max: 75mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: 4-TSFP	Auf Lager4.500
BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.7V Frequenz - Übergang: 60GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz Gewinn: 26dB Leistung - max: 120mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager7.848
BFP843FH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.25V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz Gewinn: 13.5dB ~ 25dB Leistung - max: 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 55mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: TSFP-4-1	Auf Lager4.968
BFP843H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.25V SOT343 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.25V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz Gewinn: 13.5dB ~ 24.5dB Leistung - max: 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 1.8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 55mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager22.686
BFQ149,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 15V 5GHZ SOT89-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 70mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager3.168
BFQ18A,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT89-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: 4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89-3	Auf Lager33.354

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